Exemple de conception sur du substrat verre PTFE :

Phase 2 :

Le dispositif actif choisi est un transistor de chez NEC de la série NE 71084 qui se présente en boîtier pour notre exemple. Les paramètres S petits signaux sont donnés pour les conditions de polarisation : VDS = 3 V et IDS = 10 mA . Nous avons choisi un stub court-circuité comme élément de contre réaction série en vue de faciliter la polarisation de l'élément actif.

On arrive ainsi à la configuration de la Fig 7 pour le DRO .

Figure 7

Schéma du circuit DRO .

Les éléments du circuit à déterminer sont la longueur lo du stub et la position q du résonateur diélectrique de même que le quadripôle d'adaptation en sortie du transistor.

La résistance R du circuit DRO ( Fig II - 12 ) est choisie égale à 30 ohms pour fixer VGS à environ - 0,3 V pour un courant de polarisation de 10 mA et la capacité C du même circuit est choisie égale à 100 pF .